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マイクロ波グロー放電CVDによるa-Si:H薄膜の生成
https://kougei.repo.nii.ac.jp/records/90
https://kougei.repo.nii.ac.jp/records/908ab05156-5278-497a-802f-ec948af1ae6e
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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KJ00002409584.pdf (803.9 kB)
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| Item type | [ELS]紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2017-04-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | マイクロ波グロー放電CVDによるa-Si:H薄膜の生成 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Microwave Plasma Deposition of Amorphous Silicon Films | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 雑誌書誌ID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00159741 | |||||
| 論文名よみ | ||||||
| タイトル | マイクロハ グローホウデン CVD ニ ヨル a-Si:Hハクマク ノ セイセイ | |||||
| 著者 |
加藤, 静一
× 加藤, 静一× 青木, 彪× 安田, 佳之× 北村, 光芳× 宮島, 雅彦× 芳野, 孝志× KATOH, Seiichi× AOKI, Takeshi× YASUDA, Yoshiyuki× KITAMURA, Mitsuyoshi× MIYAJIMA, Masahiko× YOSHINO, Takashi |
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| 著者所属(日) | ||||||
| 東京工芸大学工学部電子工学科 | ||||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 東京工芸大学工学部電子工学科 | ||||||
| 著者所属(日) | ||||||
| (現)富士ゼロックス株式会社 | ||||||
| 著者所属(日) | ||||||
| (現)シャープ株式会社 | ||||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 東京工芸大学工学部電子工学科 | ||||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 東京工芸大学工学部電子工学科 | ||||||
| 著者所属(英) | ||||||
| en | ||||||
| / | ||||||
| 著者所属(英) | ||||||
| en | ||||||
| FUJI XEROX | ||||||
| 著者所属(英) | ||||||
| en | ||||||
| SHARP | ||||||
| 著者所属(英) | ||||||
| en | ||||||
| / | ||||||
| 記事種別(日) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 論文 | |||||
| 記事種別(英) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | Article | |||||
| 抄録(英) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | Microwave plasma of SiH_4/H_2 gas has been produced by glow discharge in direction of microwave propagation along a ridge waveguide and investigated by observing distribution of optical emission from the plasma. 0ptimum position of gas inlet has been obtained. Deposited film posseses more or less microcrystalline phase, but its photoelectric property differs whether it is prepared inside or outside the plasma. Photoelectric property of the film obtained inside the plasma is poor but it is improved by hydrogenation or intermittent discharge. The film obtained outside the plasma has fairly good photoelectric property and growth rate of 20Å/s. It is postulated that the former film is affected by high substrate temperature and the latter is grown partly by chemical transport. | |||||
| 書誌情報 |
東京工芸大学工学部紀要 en : The Academic Reports, the Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University 巻 7, 号 1, p. 78-87, 発行日 1984 |
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| 表示順 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 12 | |||||
| アクセション番号 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | KJ00002409584 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 03876055 | |||||
