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アイテム
バナジウム添加ITO膜の微構造と電気特性
https://kougei.repo.nii.ac.jp/records/298
https://kougei.repo.nii.ac.jp/records/298a3a925b0-611f-4629-98e6-8119f9c2c249
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KJ00002353310.pdf (866.0 kB)
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| Item type | [ELS]紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2017-04-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | バナジウム添加ITO膜の微構造と電気特性 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Microstructure and electrical properties of vanadium-added ITO films | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 雑誌書誌ID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00159741 | |||||
| 論文名よみ | ||||||
| タイトル | バナジウム テンカブツ ITOマク ノ ビコウゾウ ト デンキトクセイ | |||||
| 著者 |
鈴木, 正和
× 鈴木, 正和× 前田, より子× 村岡, 正洋× 関, 成之× 澤田, 豊× 松下, 純一× SUZUKI, Masakazu× MAEDA, Yoriko× MURAOKA, Masahiro× SEKI, Shigeyuki× SAWADA, Yutaka× MATSUSHITA, Junichi |
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| 著者所属(日) | ||||||
| 東京工芸大学大学院 | ||||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 東京工芸大学工学部工業化学科:辰口工業硝子(株) | ||||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 東京工芸大学工学部工業化学科:(現)エービーシー商会 | ||||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 東京工芸大学大学院 | ||||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 東京工芸大学工学部工業化学科 | ||||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 東海大学工学部工業化学科 | ||||||
| 記事種別(日) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 論文 | |||||
| 記事種別(英) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | Article | |||||
| 抄録(英) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | Microstructure, crystallinity and electrical properties of vanadium-added ITO (In : Sn : V=93. 3 : 3.7 : 3.0 at. %) films, which were prepared using conventional rf magnetron sputtering, were compared with ITO (In : Sn=97.8 : 2.2 at. %) films without vanadium. At a substrate temperature of 300℃, the resistivity (ρ) of 1.58×10^<-4> Ωcm with a carrier density (n) of 1.03×10^<21>cm^<-3> and Hall mobility (μ) of 38.3 cm^2 V^<-1>s^<-1> was obtained for the vanadium-added ITO film, whereas ρ=3.27×10^<-4> Ωcm with n=3.99×10^<20>cm^<-3> and μ=48.0cm^2V^<-1>s^<-1> was obtained for the ITO film without vanadium addition. The vanadium addition enhanced the crystallinity and the densification of In_20_3 lattice. The enhanced electrical conductivity (increase in the carrier density) due to vanadium addition is explamed by the increase in the efficiency of Sn doping. The effect of vanadium addition is similar to that of silver addition into ITO films as reported elsewhere by the present authors. | |||||
| 書誌情報 |
東京工芸大学工学部紀要 en : The Academic Reports, the Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University 巻 20, 号 1, p. 46-51, 発行日 1997 |
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| 表示順 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 8 | |||||
| アクセション番号 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | KJ00002353310 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 03876055 | |||||
