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アイテム
ECRプラズマによるa-Si : H膜の高速成膜用反応装置と生成膜の赤外吸収スペクトラムの簡易定量分析法
https://kougei.repo.nii.ac.jp/records/108
https://kougei.repo.nii.ac.jp/records/108ba9301fd-b5b8-4bab-8226-fae8746775d4
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | [ELS]紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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公開日 | 2017-04-21 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | ECRプラズマによるa-Si : H膜の高速成膜用反応装置と生成膜の赤外吸収スペクトラムの簡易定量分析法 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | ECR Plasma Reactor for High Rate Deposition of a-Si : H Films and a Simple Quantitative Analysis of their Infrared Absorption Spectra | |||||
言語 | en | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
雑誌書誌ID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AN00159741 | |||||
論文名よみ | ||||||
タイトル | ECRプラズマ ニ ヨル a-Si : Hマク ノ コウソクセイマクヨウ ハンノウソウチ ト セイセイマク ノ セキガイキュウシュウ スペクトラム ノ カンイテイリョウ ブンセキホウ | |||||
著者 |
青木, 彪
× 青木, 彪× 加藤, 静一× 渡部, 明美× 武, 邦明× AOKI, Takeshi× KATOH, Seiichi× WATABE, Akemi× TAKE, Kuniaki |
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著者所属(日) | ||||||
東京工芸大学工学部電子工学科 | ||||||
著者所属(日) | ||||||
東京工芸大学工学部電子工学科 | ||||||
著者所属(日) | ||||||
東京工芸大学工学部電子工学科 | ||||||
著者所属(日) | ||||||
東京工芸大学工学部電子工学科 | ||||||
記事種別(日) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 論文 | |||||
記事種別(英) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | Article | |||||
抄録(英) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | A novel microwave plasma reactor for high rate deposition of a-Si : H films is described with a special attention paid on decreasing plasma maintenance power. The reactor is a coaxial-line type composed of stainless inner conductor and mesh outer conductor covering a quartz tube. Secondary electron emission and ECR effects decrease drastically the plasma maintenance power. Furthermore simple quantitative analysis of infrared absorption spectra of the a-Si : H films is presented also. This is basically the deconvolution of the spectra to two Gaussian functions, using least sqare method, but it contains analytic solutions, in part, to decrease CPU time. | |||||
書誌情報 |
東京工芸大学工学部紀要 en : The Academic Reports, the Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University 巻 8, 号 1, p. 106-112, 発行日 1985 |
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表示順 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 16 | |||||
アクセション番号 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | KJ00001511909 | |||||
ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 03876055 |