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アイテム
対向ターゲット式スパッタ法により得られる薄膜の微細構造の計算機シミュレーション
https://kougei.repo.nii.ac.jp/records/280
https://kougei.repo.nii.ac.jp/records/280a4af1b3b-b635-4e83-ae60-67ee4287aa40
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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KJ00001512055.pdf (539.7 kB)
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| Item type | [ELS]紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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| 公開日 | 2017-04-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 対向ターゲット式スパッタ法により得られる薄膜の微細構造の計算機シミュレーション | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | COMPUTER SIMULATION OF THIN FILM MICROSTRUCTURE DEPOSITED BY FACING TARGET SPUTTRING | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 雑誌書誌ID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00159741 | |||||
| 論文名よみ | ||||||
| タイトル | タイコウターゲットシキ スパッタホウ ニヨリ エラレル ハクマク ノ ビサイコウゾウ ノ ケイサンキ シミュレーション | |||||
| 著者 |
神戸, 明宏
× 神戸, 明宏× 星, 陽一× 鈴木, 英佐× KANBE, Akihiro× HOSHI, Yoichi× SUZUKI, Eisuke |
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| 著者所属(日) | ||||||
| 東京工芸大学大学院電子工学専攻 | ||||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 東京工芸大学工学部電子工学科 | ||||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 情報処理教育研究センター | ||||||
| 記事種別(日) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 論文 | |||||
| 記事種別(英) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | Article | |||||
| 抄録(英) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | In order to clarify the changes in film structure in relation to the sputtering conditions in a facing target sputtering system, we carried out three dimensional computer simulation based on Monte Carlo method. This simulation model includes Motohiro's model and Turner's model. First, distribution of the incidence angles of depositing particles to the substrate plane and deposition rate of the film were calculated for various sputtering gas pressure. The calculated distribution of the incidence angles and deposition rate were cioncident well with experimental results. Then, according to the calculated angular distribution, atoms assumed to be hard spheres were deposited on substrate by using Henderson's model. This simulation showed that film density decreases and film roughness increases as the sputtering gas pressure increases since the self shadowing effect becomes more prominent at a higher gas pressure. When surface migration of the deposited atoms due to thermal stimulation through lattice vibration was took into the simulation, the surface migration causes a significant increase in film density and leads to a decrease in film roughness. | |||||
| 書誌情報 |
東京工芸大学工学部紀要 en : The Academic Reports, the Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University 巻 19, 号 1, p. 72-77, 発行日 1996 |
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| 表示順 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 15 | |||||
| アクセション番号 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | KJ00001512055 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 03876055 | |||||
