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アイテム
高清浄雰囲気下での熱CVD法によるSi上のGe成長初期過程
https://kougei.repo.nii.ac.jp/records/277
https://kougei.repo.nii.ac.jp/records/27795aa69f3-7c1f-46df-ad30-87a6db0cf555
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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KJ00001512052.pdf (389.9 kB)
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| Item type | [ELS]紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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| 公開日 | 2017-04-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 高清浄雰囲気下での熱CVD法によるSi上のGe成長初期過程 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Initial Growth Characteristics of Ge on Si in Ultraclean LPCVD | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 雑誌書誌ID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00159741 | |||||
| 論文名よみ | ||||||
| タイトル | コウセイジョウフンイキカ デノ ネツCVDホウ ニヨル Siジョウ ノ Geセイチョウ ショキカテイ | |||||
| 著者 |
小林, 信一
× 小林, 信一× 櫻庭, 政夫× 松浦, 孝× 室田, 淳一× 御子柴, 宣夫× KOBAYASHI, Shin-ichi× SAKURABA, Masao× MATSUURA, Takashi× MUROTA, Junichi× MIKOSHIBA, Nobuo |
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| 著者所属(日) | ||||||
| 東京工芸大学工学部電子工学科 | ||||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 東北大学電気通信研究所 | ||||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 東北大学電気通信研究所 | ||||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 東北大学電気通信研究所 | ||||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 東京工芸大学工学部 | ||||||
| 記事種別(日) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 論文 | |||||
| 記事種別(英) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | Article | |||||
| 抄録(英) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | The growth characteristics in the initial stage of Ge epitaxy on the Si(100) epitaxial buffer layer have been investigated by ultraclean LPCVD at 350℃ using GeH_4 with H_2 or Ar as a carrier gas. When H_2 was used as a carrier gas, an incubation period for Ge nucleus formation on Si was found. After the incubation period layer growth of Ge film started. When Ar was used as a carrier gas, the incubation period was drastically reduced without any change in the layer growth rate. The nucleus size was larger and the nucleus density was lower in the case of using H_2 as a carrier gas in comparison with using Ar. These growth characteristics are attributed to the suppression of adsorption and/or decomposition of GeH_4 on the H-terminated Si surface in the case of H_2 as a carrier gas. | |||||
| 書誌情報 |
東京工芸大学工学部紀要 en : The Academic Reports, the Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University 巻 19, 号 1, p. 52-56, 発行日 1996 |
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| 表示順 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 12 | |||||
| アクセション番号 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | KJ00001512052 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 03876055 | |||||
